国际先进材料学会 (International Association of Advanced Materials, IAAM)12月公布「国际先进材料协会会士」( 2020 IAAM Fellow )获选名单，交大共两名长期于电子、材料领域耕耘之教授获此殊荣，分别是电子系荆凤德讲座教授与材料系陈智特聘教授，交大全体深感骄傲与荣幸。大只500

 

国际先进材料协会是材料界的学术组织，总部在瑞典，全球共有来自125个国家的上万名会员曾经参与。该协会致力于促进材料领域研究人员的互动交流，并秉承「推动材料向全球卓越发展」之目标，致力于利用先进材料，寻找解决全球问题的解决方案。IAAM Fellow荣誉颁发给世界各国于先进材料方面有重大贡献的杰出研究学者。

 

荆凤德讲座教授于密西根大学电机系博士毕业后，曾任AT&T贝尔实验室、GE航太电子实验室、德州仪器半导体技术元件中心与新加坡国立大学客座教授。他是低功率高介电CMOS和高介电快闪记忆体、三维积体电路(3D IC)、高频率高功率非对称MOSFET、太赫兹(THz)硅元件、以及共振腔光感测器(Resonant-Cavity photodetector)的先驱。他合著出版了五百馀篇论文，包含科学报告三篇前100名的物理论文、应用物理快报顶尖的元件物理论文、奈米材料之封面故事(Top 100 Scientific Reports Physics papers for 2017~2019、Top Articles in Device Physics of Applied Physics Letters、Cover story of Nanomaterials)，以及七篇“前1%高被引用论文”。荆教授的论文被引用h-index为55、i10-index达233，在台湾电机电子工程领域名列前茅。  大只500

 

 

电子系荆凤德教授(左)与2000年诺贝尔物理学奖得主Jack S. Kilby(右)合影

 

同时荆凤德教授也具有丰富的科技行政资历，服务于全球最大的国际电机电子工程师学会IEEE至今长达15年。并曾任职“国际电子元件会议”(IEDM)执行委员会之委员、IEEE Electron Device Letters编辑、IEEE电子元件协会SRC主席、以及“电子材料”与“化合半导体元件和电路”的两个技术委员会主席。荆教授为国际电机电子工程师学会(IEEE)会士、国际光学学会(The Optical Society)会士、国际先进材料学会(Intl Assn Advanced Materials)会士、和亚太材料科学院(Asia-Pacific Academy of Materials)院士。

 

陈智特聘教授是发现(111) 奈米双晶铜的先驱，能够以直流电镀出含有高密度/高规则性奈米双晶且具有极高(111)优选方向的铜膜，几乎100%的表面铜晶粒都沿著[111]方向排列，晶体排列规则性仅次于单晶，在电镀铜的研究上有重要创新与贡献，荣登世界顶级期刊科学杂志(SCIENCE)。2016年与添鸿科技签订技转合约，将(111)奈米双晶铜添加剂商品化，帮助台湾本土公司进入电镀铜添加剂市场，目前已经量产成功，并于2016年在国际半导体展(Semicon Taiwan) 举行新产品发表会。奈米双晶铜很有机会能应用成为下一世代高科技新材料，能够电镀出高规则性、高强度、低电阻铜超薄铜箔，应用于三维积体电路铜-铜接合、导线以及锂电池的负极集电器(anode current collector)。

 

陈智教授于学术及产业的贡献，使其获得多项大奖，包括：科技部未来科技奖(2020)、第八届有庠科技发明奖、科技部杰出研究奖(106年度)、科技部杰出技术移转贡献奖(106年度)、TMS应用与实践奖(TMS 2018 Application to Practice Award, The Minerals, Metals & Materials Society)、「第十三届国家新创奖－学研新创奖」(2016)、交大产学技术交流卓越贡献奖铜羽奖及特别贡献奖(2016) ，以及中研院年轻学者研究著作奖(2013)、科技部吴大猷先生纪念奖(96年度)。